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BU2508AW、BU808DFI、BUF420M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU2508AW BU808DFI BUF420M

描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor高压Fast-Switching NPN大功率达林顿管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER DARLINGTON高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-247 ISOWATT-218-3 TO-3

额定电压(DC) - 700 V 450 V

额定电流 - 8.00 A 30.0 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - - 275 W

击穿电压(集电极-发射极) 700 V 700 V 450 V

集电极最大允许电流 8A 8A 30A

额定功率(Max) - 52 W 275 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

耗散功率(Max) - - 275 W

额定功率 - 50 W -

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @5A, 5V -

长度 - - 39.5 mm

宽度 - - 26.2 mm

高度 - - 8.7 mm

封装 TO-247 ISOWATT-218-3 TO-3

工作温度 - 150℃ (TJ) 200℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC