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ULN2001AD、ULN2001ADR、ULN2001D1013TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2001AD ULN2001ADR ULN2001D1013TR

描述 高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYSTMICROELECTRONICS  ULN2001D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, 双NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 接口芯片接口芯片双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC SOIC SOIC-16

引脚数 - - 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 500 mA

输出接口数 - - 7

针脚数 - - 16

最小电流放大倍数(hFE) - - 1000

输出电流(Max) - - 500 mA

直流电流增益(hFE) - - 1000

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -20 ℃

封装 SOIC SOIC SOIC-16

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 - - EAR99