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C4D20120A、C4D20120D、GB20SLT12-247对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 C4D20120A C4D20120D GB20SLT12-247

描述 WOLFSPEED  C4D20120A  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, Z-Rec 1200V系列, 单, 1.2 kV, 53.5 A, 99 nC, TO-220WOLFSPEED  C4D20120D  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, Z-Rec 1200V系列, 双共阴极, 1.2 kV, 68 A, 104 nC, TO-247GENESIC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247 Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 1200V Series, Single, 1.2kV, 20A, 112NC, TO-247AC

数据手册 ---

制造商 Wolfspeed Wolfspeed GeneSiC Semiconductor

分类 肖特基二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 2

封装 TO-220-2 TO-247-3 TO-247-2

额定功率 242 W 176 W -

负载电流 20 A 20 A -

正向电压 1.8V @20A 1.8 V 2V @20A

耗散功率 242 W 352 W -

反向恢复时间 0 ns 0 ns 0 ns

正向电流 53.5 A 68 A 20 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 130 A 750 A -

正向电压(Max) 3 V 3 V 2V @20A

正向电流(Max) 20 A 68 A 67 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -

工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 242000 mW 352000 mW 312000 mW

长度 10.41 mm 16.13 mm -

宽度 4.699 mm 21.1 mm -

高度 15.621 mm 5.21 mm -

封装 TO-220-2 TO-247-3 TO-247-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ 55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Not For New Designs

包装方式 Each Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17