FS25R12KE3G、FS35R12KE3G、MWI35-12E7对比区别

高亮显示差异参数

型号 FS25R12KE3G FS35R12KE3G MWI35-12E7

描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 40A 28Pin ECONO 2IGBT模块Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw Screw -

引脚数 28 28 -

封装 AG-ECONO2-6 ECONO2-6 -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

耗散功率(Max) 145000 mW - -

额定功率 - 200 W -

长度 107.5 mm 93 mm -

宽度 45 mm 45 mm -

高度 17 mm 17 mm -

封装 AG-ECONO2-6 ECONO2-6 -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -