STFI6N62K3、STP10NK60ZFP、SPA11N80C3对比区别

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型号 STFI6N62K3 STP10NK60ZFP SPA11N80C3

描述 N沟道620 V， 0.95 I© （典型值） ， 5.5 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ， IPAKFP ， IPAK ， TO- 220 ， IPAK包 N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packagesSTMICROELECTRONICS  STP10NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 1

漏源极电阻 950 mΩ 0.65 Ω 0.39 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 35 W 41 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 3 V

漏源极电压(Vds) 620 V 600 V 800 V

漏源击穿电压 620 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 5.5A 10.0 A 11.0 A

上升时间 12 ns 20 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 875pF @50V(Vds) 1370pF @25V(Vds) 1600pF @100V(Vds)

下降时间 20 ns 30 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 30W (Tc) 35W (Tc) 34W (Tc)

额定电压(DC) - 600 V 800 V

额定电流 - 10.0 A 11.0 A

额定功率 - 35 W 34 W

针脚数 - 3 3

额定功率(Max) - 35 W 34 W

工作结温(Max) - - 150 ℃

输入电容 - 1370 pF -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.65 mm

宽度 - 4.6 mm 4.85 mm

高度 - 9.3 mm 16.15 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99