KSH122、MJD122T4、NJVMJD122T4G对比区别
型号 KSH122 MJD122T4 NJVMJD122T4G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSH122 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, 1000 hFENPN 复合晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 5.00 A -
额定功率 - 1.75 W -
针脚数 3 3 -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 20 W 20 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @4A, 4V 1000 @4A, 4V
额定功率(Max) - 20 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) 1000 1000 300
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 20000 mW 20 W
无卤素状态 - - Halogen Free
集电极最大允许电流 8A - 8A
最大电流放大倍数(hFE) - - 12000
增益带宽 - - 4MHz (Min)
长度 - 6.6 mm 6.73 mm
宽度 - 6.2 mm 6.22 mm
高度 - 2.4 mm 2.38 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99