FD150R12RT4、FD200R12KE3、CM150E3U-24H对比区别

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型号 FD150R12RT4 FD200R12KE3 CM150E3U-24H

描述 INFINEON  FD150R12RT4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV62毫米C系列模块，带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diodeIGBT模块大功率开关使用绝缘型 IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Mitsubishi (三菱)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw Screw -

引脚数 5 5 -

封装 - 62MM-1 Module

额定功率 790 W 1040 W -

针脚数 5 - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 790 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 9.3nF @25V - -

额定功率(Max) 790 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

长度 - 106.4 mm -

宽度 - 61.4 mm -

高度 - 30.9 mm -

封装 - 62MM-1 Module

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Active Not Recommended

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -