LET9060C、LET9060STR对比区别

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型号 LET9060C LET9060STR

描述 LET9060C 系列 945 MHz 130 W 80 V N沟道 射频 功率 晶体管 MOSFET - M-243射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管

引脚数 3 3

封装 M-243 PowerSO-10RF

频率 945 MHz 960 MHz

耗散功率 130 W 170000 mW

输出功率 90 W 60 W

增益 18 dB 17.2 dB

测试电流 400 mA 300 mA

输入电容(Ciss) 77pF @28V(Vds) 74pF @26V(Vds)

工作温度(Max) 200 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 130000 mW 170000 mW

额定电压 80 V 80 V

漏源极电压(Vds) 80 V -

封装 M-243 PowerSO-10RF

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -