BCR183E6327HTSA1、BCR183E6433HTMA1对比区别

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型号 BCR183E6327HTSA1 BCR183E6433HTMA1

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-31个PNP-预偏置 100mA 50V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP

耗散功率 0.2 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 200 MHz 200 MHz

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW

长度 2.9 mm -

宽度 1.3 mm -

高度 0.9 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Last Time Buy End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99