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BUK9E1R8-40E,127、BUK9E1R9-40E,127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9E1R8-40E,127 BUK9E1R9-40E,127

描述 I2PAK N-CH 40V 120AI2PAK N-CH 40V 120A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 349W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120A 120A

输入电容(Ciss) 16400pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 349 W -

耗散功率(Max) 349W (Tc) -

封装 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free