IR4426S、IR4427S、IR4427SPBF对比区别
描述 MOSFET DRVR 3.3A 2Out Lo Side Inv 8Pin SOICMOSFET DRVR 3.3A 2Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOICMOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 20.0V (max) 20.0V (max) -
上升/下降时间 15ns, 10ns 15ns, 10ns 15ns, 10ns
输出接口数 2 2 2
输出电压 - ≤25.3 V 20 V
产品系列 IR4426 IR4427 -
电源电压 6V ~ 20V 6V ~ 20V 6V ~ 20V
工作电压 - - 6V ~ 20V
额定功率 - - 625 mW
输出电流 - - 2.3 A
供电电流 - - 1500 μA
通道数 - - 2
耗散功率 625 mW - 0.625 W
上升时间 - - 35ns (Max)
热阻 - - 200℃/W (RθJA)
下降时间 - - 25ns (Max)
下降时间(Max) 25 ns - 25 ns
上升时间(Max) 35 ns - 35 ns
工作温度(Max) - - 125 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW
电源电压(Max) - - 20 V
电源电压(Min) - - 6 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99