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FM24CL64B-G、FM25640B-G、FM25CL64B-GTR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FM24CL64B-G FM25640B-G FM25CL64B-GTR

描述 F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25640B-G  芯片, 存储器, FRAM, 64K, SPI, 8SOIC64-Kbit(8K × 8bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.65V

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Ramtron

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 8 -

电源电压 2.7V ~ 3.65V 4.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.65V

频率 - 20 MHz -

供电电流 0.3 mA 4 mA -

针脚数 - 8 -

时钟频率 1 MHz 20 MHz -

存取时间 550 ns 10 ms -

内存容量 - 8000 B -

存取时间(Max) 550 ns 20 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

耗散功率 1 W - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -