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NVMFS5C404NAFT1G、NVMFS5C404NT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NVMFS5C404NAFT1G NVMFS5C404NT1G

描述 NVMFS5C404N: 单 N 沟道,功率 MOSFET,40V,378A,0.7mΩON SEMICONDUCTOR  NVMFS5C404NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 378 A, 40 V, 0.00057 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 5 5

封装 SO-FL SO-FL-8

安装方式 - Surface Mount

耗散功率 200 W 200 W

上升时间 113 ns 113 ns

输入电容(Ciss) 8400pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)

下降时间 109 ns 109 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3900 mW 3.9W (Ta), 200W (Tc)

针脚数 - 5

极性 - N-Channel

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) - 40 V

漏源击穿电压 - 40 V

连续漏极电流(Ids) - 53A

封装 SO-FL SO-FL-8

长度 - 5.1 mm

宽度 - 6.1 mm

高度 - 1.95 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)