1N758ARL、JAN1N758A-1、1N758A-1E3对比区别

高亮显示差异参数

型号 1N758ARL JAN1N758A-1 1N758A-1E3

描述 DO-35 10V 0.5W(1/2W)JAN 系列 10 V 200 mA 400 mW 通孔 硅 齐纳 二极管 - DO-35DO-35 10V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 TAK Cheong Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1 V -

耗散功率 500 mW 400 mW 500 mW

测试电流 - 20 mA -

稳压值 10 V 10 V 10 V

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -