IPA60R950C6、SPA04N60C3XKSA1、IPB60R950C6对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPA60R950C6 SPA04N60C3XKSA1 IPB60R950C6

描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  SPA04N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 4.50 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 860 mΩ 0.85 Ω 950 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 26 W 31 W 37 W

阈值电压 2.5 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 4.4A 4.50 A 4.4A

上升时间 8 ns 2.5 ns 8 nS

输入电容(Ciss) 280pF @100V(Vds) 490pF @25V(Vds) 280pF @100V(Vds)

下降时间 13 ns 9.5 ns 13 nS

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 26W (Tc) 31W (Tc) 37W (Tc)

通道数 1 - 1

漏源击穿电压 600 V - 600 V

额定功率(Max) 26 W - -

长度 10.65 mm 10.65 mm 10 mm

宽度 4.85 mm 4.85 mm 9.25 mm

高度 16.15 mm 9.83 mm 4.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -