K9F2G08U0M-PCB0、NAND02GW3B2CN6E、NAND02GW3B2CN6F对比区别

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型号 K9F2G08U0M-PCB0 NAND02GW3B2CN6E NAND02GW3B2CN6F

描述 Flash, 256MX8, 30ns, PDSO481-Gbit, 2-Gbit, 2112Byte/1056-word page, 1.8V/3V, NAND flash memory1-Gbit, 2-Gbit, 2112Byte/1056-word page, 1.8V/3V, NAND flash memory

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Numonyx Numonyx

分类 存储芯片

封装 TSSOP TSSOP TSSOP

引脚数 - 48 -

封装 TSSOP TSSOP TSSOP

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

电源电压(DC) - 3.00 V -

内存容量 - 250000000 B -