FDP13AN06A0、STP60NF06L、PHP52N06T,127对比区别
型号 FDP13AN06A0 STP60NF06L PHP52N06T,127
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的60V , 62A , 13.5mз N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mзN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTO-220AB N-CH 60V 52A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 62.0 A 60.0 A -
漏源极电阻 13.5 mΩ 0.014 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 115 W 110 W 120 W
输入电容 1.35 nF - -
栅电荷 22.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±15.0 V -
连续漏极电流(Ids) 62.0 A 60.0 A 52A
上升时间 96 ns 220 ns 74 ns
输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 1592pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 115 W 110 W 120 W
下降时间 26 ns 30 ns 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 115W (Tc) 110W (Tc) 120W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 1 V -
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 4.7 mm 4.6 mm -
高度 16.3 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -