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IPB034N06L3 G、IPB049N06L3GATMA1、IPB048N06LGATMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB034N06L3 G IPB049N06L3GATMA1 IPB048N06LGATMA1

描述 INFINEON  IPB034N06L3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 VD2PAK N-CH 60V 80AD2PAK N-CH 60V 100A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 167 W 115W (Tc) 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 80A 100A

输入电容(Ciss) 13000pF @30V(Vds) 8400pF @30V(Vds) 7600pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - 115 W 300 W

耗散功率(Max) 167W (Tc) 115W (Tc) 300W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0027 Ω - -

阈值电压 1.7 V - -

上升时间 78 ns 5 ns -

下降时间 13 ns 12 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -