FQD7N10、FQD7N10TM、FQD7N10TF对比区别

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型号 FQD7N10 FQD7N10TM FQD7N10TF

描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETN沟道 100V 5.8AMOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 DPAK

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 5.8A 5.8A 5.8A

耗散功率 - 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5 W

输入电容(Ciss) - 250pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -

上升时间 - - 24 ns

下降时间 - - 19 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 DPAK TO-252-3 DPAK

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -