锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IR2101SPBF、IR2304、IR2101S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2101SPBF IR2304 IR2101S

描述 INFINEON  IR2101SPBF  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边MOSFET DRVR 600V 0.13A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin PDIP600V High and Low Side Driver IC with typical 0.21A source and 0.36A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) - 20.0V (max)

上升/下降时间 100ns, 50ns 200ns, 100ns 100ns, 50ns

输出接口数 2 - 2

输出电压 - - ≤20.0 V

产品系列 - - IR2101

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

工作电压 10V ~ 20V - -

输出电流 210 mA - -

通道数 2 - -

针脚数 8 - -

耗散功率 625 mW - -

静态电流 270 µA - -

上升时间 170 ns - -

下降时间 90 ns - -

下降时间(Max) 90 ns - -

上升时间(Max) 170 ns - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

耗散功率(Max) 625 mW - -

电源电压(Max) 20 V - -

电源电压(Min) 10 V - -

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 2018/06/27 - -

ECCN代码 EAR99 - -