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BSL316CL6327、BSL316CL6327HTSA1、SI3552DV-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSL316CL6327 BSL316CL6327HTSA1 SI3552DV-T1-GE3

描述 30V/1.4A,-30V/-1.5A,N/P沟道组合功率MOSFETTSOP N+P 30V 1.4A/1.5ATrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6Pin TSOP T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSOP TSOT-23-6 TSOT-23-6

引脚数 6 - 6

极性 N-Channel, P-Channel N+P N-Channel, P-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 1.4A/1.5A 1.4A/1.5A -

输入电容(Ciss) - 94pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 500 mW 1.15 W

封装 TSOP TSOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -