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AUIRFR2905ZTR、IRFR2905ZTRPBF、AUIRFR2905Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFR2905ZTR IRFR2905ZTRPBF AUIRFR2905Z

描述 DPAK N-CH 55V 59A晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  AUIRFR2905Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 110 W 110 W 110 W

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 14.5 mΩ 0.0111 Ω

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 110 W 110 W

阈值电压 - 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - 55 V -

连续漏极电流(Ids) 59A 59A 59A

上升时间 66 ns 66 ns 66 ns

输入电容(Ciss) 1380pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W 110 W

下降时间 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110000 mW 110W (Tc) 110W (Tc)

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99