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BUK9606-55A、BUK9606-55A,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9606-55A BUK9606-55A,118

描述 的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FETD2PAK N-CH 55V 154A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 D2PAK TO-263-3

通道数 - 1

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 300 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 154A 154A

上升时间 - 180 ns

输入电容(Ciss) - 8600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W

下降时间 - 235 ns

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

宽度 - 9.4 mm

封装 D2PAK TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free