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IRLR7833TRPBF、IRLR7833TRRPBF、IRLR7833PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR7833TRPBF IRLR7833TRRPBF IRLR7833PBF

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3DPAK N-CH 30V 140AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 140 W - 140 W

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 140W (Tc) 140W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 140A 140 A 140A

上升时间 6.9 ns 6.9 ns 6.9 ns

输入电容(Ciss) 4010pF @15V(Vds) 4010pF @15V(Vds) 4010pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 140 W - 140 W

下降时间 15 ns 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)

额定电流 140 A 99.0 A -

输入电容 4010 pF - -

额定电压(DC) - 30.0 V -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free