DS1230Y-85+、DS1230Y-120+、DS1230Y-100+对比区别

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型号 DS1230Y-85+ DS1230Y-120+ DS1230Y-100+

描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-85+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-120+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-100+  NVSRAM, 256K, FULLY STATIC, 1230 新

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 EDIP-28 EDIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 4.50V (min) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 28 28 28

存取时间 85 ns 120 ns 100 ns

内存容量 32000 B 32000 B 32000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

时钟频率 - 120 GHz 100 GHz

频率 - 120 GHz -

工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -

长度 39.12 mm 39.12 mm 39.37 mm

宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 9.4 mm 9.4 mm 9.35 mm

封装 EDIP-28 EDIP-28 DIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free