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2N6762、JANTX2N6762、IRF430对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6762 JANTX2N6762 IRF430

描述 Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin(2+Tab) TO-34.5A , 500V , 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Intersil (英特矽尔)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-204 -

耗散功率 - 4 W -

漏源极电压(Vds) - 500 V -

上升时间 - 40 ns -

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 4W (Ta), 75W (Tc) -

封装 - TO-204 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -