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IRF7317TRPBF、IRF7509PBF、IRF7317PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7317TRPBF IRF7509PBF IRF7317PBF

描述 INFINEON  IRF7317TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mVINFINEON  IRF7509PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.7 A, 30 V, 110 mohm, 10 V, 1 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7317PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 20V, SOIC 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOIC-8 µSOIC SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.023 Ω 110 mΩ 0.023 Ω

极性 N-Channel, P-Channel N+P N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 1.25 W 2 W

阈值电压 700 mV 1 V 700 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.6A/5.3A 2.7A/2A 6.60 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定电流 - - 6.60 A

产品系列 - - IRF7317

漏源击穿电压 - - 20.0 V

热阻 - - 62.5 K/W

输入电容(Ciss) 900pF @15V(Vds) - 900pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W - 2 W

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 2 W - -

正向电压(Max) 1 V - -

耗散功率(Max) 2 W - -

封装 SOIC-8 µSOIC SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

宽度 4 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

材质 Silicon - -