ARF1519、MRFE6S9125NBR1、MRF377对比区别

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型号 ARF1519 MRFE6S9125NBR1 MRF377

描述 RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODERF Power Transistor,865 to 960MHz, 125W, Typ Gain in dB is 20.2 @ 880MHz, 28V, LDMOS, SOT1735MRF377, MRF377R3, MRF377R5 470-860MHz, 240W, 32V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦) Motorola (摩托罗拉)

分类 晶体管MOS管

引脚数 4 5 -

封装 Die TO-272 -

安装方式 - Surface Mount -

频率 13.56 MHz 880 MHz -

额定电流 20 A 10 µA -

耗散功率 1350000 mW - -

输出功率 750 W 27 W -

增益 20 dB 20.2 dB -

输入电容(Ciss) 4600pF @150V(Vds) 350pF @28V(Vds) -

工作温度(Max) 175 ℃ 225 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1350000 mW - -

额定电压 1000 V 66 V -

无卤素状态 - Halogen Free -

测试电流 - 950 mA -

电源电压 - 28 V -

高度 7.62 mm - -

封装 Die TO-272 -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 225℃ -

ECCN代码 - EAR99 -