RD3L050SNTL1、RSD050N06TL对比区别

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型号 RD3L050SNTL1 RSD050N06TL

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252 TO-252-3

通道数 - 1

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.078 Ω 0.078 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 15 W 15 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

上升时间 17 ns 17 ns

输入电容(Ciss) 290pF @10V(Vds) 290pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 15 W

下降时间 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 15000 mW 15W (Tc)

长度 - 6.5 mm

宽度 - 5.5 mm

高度 - 2.3 mm

封装 TO-252 TO-252-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free