IPB60R520CPATMA1、IPB60R600CPATMA1、IPB60R600C6ATMA1对比区别

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型号 IPB60R520CPATMA1 IPB60R600CPATMA1 IPB60R600C6ATMA1

描述 D2PAK N-CH 600V 6.8AD2PAK N-CH 600V 6.1AInfineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R600C6ATMA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-2 TO-263-2 TO-263-3

额定功率 - - 63 W

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 66W (Tc) 60W (Tc) 63 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 6.8A 6.1A 7.3A

上升时间 12 ns 12 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 630pF @100V(Vds) 550pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds)

下降时间 16 ns 17 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 66W (Tc) 60W (Tc) 63 W

长度 - - 10.31 mm

宽度 - - 9.45 mm

高度 - - 4.57 mm

封装 TO-263-2 TO-263-2 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free