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IXGH40N60A3D1、SKW25N120、IRG4PC50WPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGH40N60A3D1 SKW25N120 IRG4PC50WPBF

描述 MOSFET 40A 600V 1.25 RdsINFINEON  SKW25N120  单晶体管, IGBT, 46 A, 3.6 V, 313 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚INFINEON  IRG4PC50WPBF  单晶体管, IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 - - 200 W

针脚数 - 3 3

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 313 W 200 W

输入电容 - - 3700 pF

上升时间 - 40 ns 33.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 1200 V 600 V

热阻 - - 40 ℃/W

额定功率(Max) - 313 W 200 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 313 W 200000 mW

漏源极电阻 1.25 Ω - -

漏源击穿电压 600 V - -

反向恢复时间 - 90 ns -

下降时间 - 39 ns -

工作结温(Max) - 150 ℃ -

长度 - 16.03 mm 15.9 mm

宽度 - 5.16 mm 5.3 mm

高度 - 21.1 mm 20.3 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -