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GS8161Z36BGT-200、IDT71T75602S200PF、71T75602S200PFGI8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8161Z36BGT-200 IDT71T75602S200PF 71T75602S200PFGI8

描述 SRAM Chip Sync Quad 2.5V/3.3V 18M-Bit 512K x 36 6.5ns/3ns 100Pin TQFP Tray512K ×36 , 1M ×18 2.5V同步ZBT⑩ SRAM的2.5VI / O,突发计数器输出流水线 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined OutputsZBT SRAM, 512KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100

数据手册 ---

制造商 GSI Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 LQFP LQFP-100 LQFP

电源电压 - 2.375V ~ 2.625V -

封装 LQFP LQFP-100 LQFP

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - 3A991 -