IRLZ24NPBF、IRLZ34NPBF、RFD14N05L对比区别

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型号 IRLZ24NPBF IRLZ34NPBF RFD14N05L

描述 INFINEON  IRLZ24NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRLZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 35 mohm, 10 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD14N05L  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-251-3

额定功率 45 W 56 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.06 Ω 0.035 Ω 100 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 56 W 48 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

输入电容 480 pF 880 pF -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 50 V

漏源击穿电压 55 V 55 V 50.0 V

连续漏极电流(Ids) 18A 30A 14.0 A

上升时间 74 ns 100 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 880pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 68 W 48 W

下降时间 29 ns 29 ns 16 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 68W (Tc) 48 W

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 14.0 A

栅源击穿电压 - - ±10.0 V

长度 10.54 mm 10.54 mm 6.8 mm

宽度 - 4.4 mm 2.5 mm

高度 8.77 mm 8.77 mm 6.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99