IRF7456PBF、SI4866DY-T1-E3、STS11N3LLH5对比区别

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型号 IRF7456PBF SI4866DY-T1-E3 STS11N3LLH5

描述 N沟道 20V 16ASOIC-8 N-CH 12V 17A 5.5mΩSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 6.5 mΩ 5.50 mΩ 0.0117 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 1.6 W 2.7 W

漏源极电压(Vds) 20 V 12 V 30 V

漏源击穿电压 20.0 V 12.0 V -

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 17.0 A -

上升时间 25 ns 32 ns -

额定功率(Max) 2.5 W 1.6 W 2.7 W

下降时间 52 ns 35 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2500 mW 3000 mW 2.7W (Tc)

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 16.0 A - -

产品系列 IRF7456 - -

阈值电压 2 V - 1 V

输入电容(Ciss) 3640pF @15V(Vds) - 724pF @25V(Vds)

针脚数 - - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17