SI4925DY-T1、SI4925DY-T1-E3、STS4DPF20L对比区别

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型号 SI4925DY-T1 SI4925DY-T1-E3 STS4DPF20L

描述 Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8MOSFET 30V 6.1A 2WN 通道 STripFET™ 双 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - -20.0 V

额定电流 -6.30 A - -4.00 A

漏源极电阻 45.0 mΩ - 0.07 Ω

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 1.10 W - 2 W

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V

通道数 - - 2

阈值电压 - - 1.6 V

漏源极电压(Vds) - - 20 V

漏源击穿电压 - - 20 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.00 A

上升时间 - - 35 ns

输入电容(Ciss) - - 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.6 W

下降时间 - - 35 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2000 mW

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.75 mm 1.25 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)