锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

H5TQ2G83FFR-PBC、MT41K256M8DA-125IT:K、108E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 H5TQ2G83FFR-PBC MT41K256M8DA-125IT:K 108E

描述 DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 256M x 8 1.5V 78Pin F-BGADRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78Pin FBGADDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

数据手册 ---

制造商 SK Hynix (海力士) Micron (镁光) Elpida (尔必达)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 TFBGA FBGA-78 TFBGA

时钟频率 - 800 MHz -

存取时间 - 13.75 ns -

电源电压 - 1.283V ~ 1.45V -

封装 TFBGA FBGA-78 TFBGA

工作温度 - -40℃ ~ 95℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -