IXTH50N25T、IXTQ50N25T、IXTA50N25T对比区别

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型号 IXTH50N25T IXTQ50N25T IXTA50N25T

描述 Mosfet n-Ch 250V 50A To-247N沟道 250V 50ATO-263AA N-CH 250V 50A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-263-3

引脚数 - 3 -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 60 mΩ

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 400W (Tc) 400W (Tc) 400 W

阈值电压 - - 5 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

漏源击穿电压 - - 250 V

连续漏极电流(Ids) - 50A 50A

上升时间 - 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 400 W 400 W

下降时间 - 25 ns 25 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

长度 - - 9.65 mm

宽度 - - 10.41 mm

高度 - - 4.83 mm

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free