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IRFP3206PBF、IRFP3306PBF、IRFP064PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP3206PBF IRFP3306PBF IRFP064PBF

描述 INFINEON  IRFP3206PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFP3306PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0033 ohm, 20 V, 4 VVISHAY  IRFP064PBF  场效应管, MOSFET, N沟道

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 280 W 220 W 200 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0024 Ω 0.0033 Ω 0.009 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 280 W 220 W 300 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 6540pF @50V 4520 pF 7400pF @25V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 200A 160A 70.0 A

上升时间 82 ns 76 ns 190 ns

输入电容(Ciss) 6540pF @50V(Vds) 4520pF @50V(Vds) 7400pF @25V(Vds)

下降时间 83 ns 77 ns 190 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 280000 mW 220W (Tc) 300 W

额定功率(Max) 280 W - -

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 70.0 A

漏源击穿电压 - - 60 V

长度 15.87 mm 15.87 mm 15.87 mm

宽度 5.31 mm 5.31 mm 5.31 mm

高度 20.7 mm 20.7 mm 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99