NTMD2P01R2、RF1K49093、NTMD2P01R2G对比区别

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型号 NTMD2P01R2 RF1K49093 NTMD2P01R2G

描述 NTMD2P01R2 P沟道MOS场效应管 -16V -2.3A 150毫欧 Vth:-0.5~-1.5V 8脚 marking/标记 D2P01 功率MOSFET 低导通电阻 便携式设备应用2.5A ， 12V ， 0.130欧姆，逻辑电平，双P沟道LittleFET⑩功率MOSFET 2.5A, 12V, 0.130 Ohm, Logic Level, Dual P-Channel LittleFET⑩ Power MOSFET2.3A,-16V,双P沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Intersil (英特矽尔) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 - SOIC-8

额定电压(DC) -16.0 V - -16.0 V

额定电流 -2.30 A - -2.30 A

漏源极电阻 100 mΩ - 100 mΩ

极性 P-Channel - Dual P-Channel, P-Channel

耗散功率 2.00 W - 2.00 W

漏源极电压(Vds) 16 V - 16 V

栅源击穿电压 ±10.0 V - ±10.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.30 A - 2.30 A, -3.85 A

输入电容(Ciss) 750pF @16V(Vds) - 750pF @16V(Vds)

额定功率(Max) 710 mW - 710 mW

封装 SOIC-8 - SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99