RFD10P03L、RFD10P03LSM对比区别

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型号 RFD10P03L RFD10P03LSM

描述 10A ， 30V ， 0.200W ，逻辑电平P沟道功率MOSFET 10A, 30V, 0.200W, Logic Level P-Channel Power MOSFETMOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount

封装 TO-251-3 DPAK

额定电压(DC) - -30.0 V

额定电流 - -10.0 A

极性 P-CH P-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 10A 10.0 A

耗散功率 65 W -

上升时间 50 ns -

下降时间 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 TO-251-3 DPAK

长度 6.8 mm -

宽度 2.5 mm -

高度 6.3 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead