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CY62187EV30LL-55BAXI、R1WV6416RBG-5SI、CY62187EV30LL-55BAXIT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62187EV30LL-55BAXI R1WV6416RBG-5SI CY62187EV30LL-55BAXIT

描述 RAM,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)RENESAS  R1WV6416RBG-5SI  芯片, 存储器, SRAM, 64Mb, 3V, 55NS, 48FBGAStandard SRAM, 4MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 8 X 9.5MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-205, FBGA-48

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Renesas Electronics (瑞萨电子) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 FBGA-48 FBGA FBGA-48

供电电流 55 mA - -

针脚数 48 48 -

位数 16 - 16

存取时间 55 ns 55 ns -

存取时间(Max) 55 ns - 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.7V 2.7V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.7V

电源电压(DC) - 2.70V (min) -

内存容量 - 8000000 B -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

长度 9.5 mm - -

宽度 8 mm - -

高度 0.91 mm - -

封装 FBGA-48 FBGA FBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a