PMBFJ175,215、PMBFJ174,215、MMBFJ270对比区别

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型号 PMBFJ175,215 PMBFJ174,215 MMBFJ270

描述 NXP  PMBFJ175,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 70 mA, 6 V, SOT-23, JFETNXP  PMBFJ174,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ270  晶体管, JFET, JFET, 30 V, -2 mA, -15 mA, 2 V, SOT-23, JFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -50.0 mA

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 300 mW 300 mW 225 mW

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30.0 V

栅源击穿电压 - 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 70.0 mA - 8.50 mA

击穿电压 30 V 30 V 30 V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 225 mW

击穿电压 30.0 V 30.0 V -

漏源极电阻 125 Ω 85 Ω -

漏源击穿电压 - 30 V -

输入电容(Ciss) 8pF @10V(Vgs) 8pF @10V(Vgs) -

长度 3 mm 3 mm 2.9 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 1 mm 1 mm 1.04 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99