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IXTA120P065T、IXTH120P065T、IXTP120P065T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA120P065T IXTH120P065T IXTP120P065T

描述 Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3Pin(2+Tab) TO-263AATO-247P-CH 65V 120ATO-220AB P-CH 65V 120A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3

极性 - P-CH P-CH

耗散功率 298W (Tc) 298 W 298W (Tc)

漏源极电压(Vds) 65 V 65 V 65 V

连续漏极电流(Ids) - 120A 120A

上升时间 28 ns 28 ns -

输入电容(Ciss) 13200pF @25V(Vds) 13200pF @25V(Vds) 13200pF @25V(Vds)

下降时间 21 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 298W (Tc) 298W (Tc) 298W (Tc)

额定功率(Max) 298 W - -

长度 - 16.26 mm -

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free