SI52112-A1-GM2、SI52112-B5-GM2、SI52112-A1-GM2R对比区别

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型号 SI52112-A1-GM2 SI52112-B5-GM2 SI52112-A1-GM2R

描述 SILICON LABS  SI52112-A1-GM2  芯片, 时钟发生器, 100MHZ, TDFN-10Si521xx PCIe 时钟生成器，Silicon LabsSilicon Labs Si521xx PCI-Express 时钟生成器具有低功率推挽式输出缓冲器技术，可减少外部端接电阻器并采用较小型封装。 要提高性能，它们支持可编程驱动强度、上升/下降时间、输出阻抗，还支持向下展频时钟生成。 该设备支持标准 PCIe HCSL 信号格式，且可外部端接，以便支持 LVPECL、LVDS 或 CML 级别。\- 推挽式 HCSL 输出缓冲器技术 \- PCIe 输出上具有完全集成端接电阻器 \- 可编程展频 \- 引脚带，可启用展频 \- I²C/SMBus 可编程 \- 支持可选 LVPECL、LVDS 或 CML 级别 \- -40 至 85°C 操作 \- 单独输出启用控制 \- 小型 QFN 和 TDFN 封装 ### 时钟发生器/缓冲器Processor Specific Clock Generator, 100MHz, CMOS, PDSO10, 3 X 3MM, ROHS COMPLIANT, MO-229, TDFN-10

数据手册 ---

制造商 Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科)

分类 时钟信号器件时钟发生器时钟发生器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 10 10

封装 TDFN-10 TDFN-10 TDFN-10

频率 100 MHz 100 MHz -

电源电压(DC) 3.13V (min) 3.13V (min) -

输出接口数 2 2 -

电路数 1 1 1

占空比 - 55% (Max) -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.97V ~ 3.63V 2.97V ~ 3.63V 2.97V ~ 3.63V

电源电压(Max) 3.46 V 3.46 V -

电源电压(Min) 3.13 V 3.13 V -

针脚数 10 - -

长度 3 mm 3 mm -

宽度 3 mm 3 mm -

高度 0.75 mm 0.75 mm -

封装 TDFN-10 TDFN-10 TDFN-10

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99