PSMN015-100B、PSMN015-100B,118、PSMN015-100B/T3对比区别

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型号 PSMN015-100B PSMN015-100B,118 PSMN015-100B/T3

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorD2PAK N-CH 100V 75AMOSFET Power TAPE13 PWR-MOS

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 75.0 A

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - - 15 mΩ

耗散功率 - 300 W 300 W

输入电容 - - 4.90 nF

栅电荷 - - 90.0 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - - 100 V

连续漏极电流(Ids) 75A 75A 75.0 A

上升时间 - 65 ns 65 ns

下降时间 - 50 ns 50 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

极性 N-CH N-CH -

输入电容(Ciss) - 4900pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 300 W -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

宽度 - 9.4 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -