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BUK7626-100B、BUK9628-100A,118、BUK9628-100A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7626-100B BUK9628-100A,118 BUK9628-100A

描述 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FET晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 VTrans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 - 3 3

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

安装方式 - Surface Mount -

上升时间 - 58 ns 58 ns

输入电容(Ciss) - 4293pF @25V(Vds) 3220pF @25V(Vds)

下降时间 - 106 ns 106 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 166W (Tc) 166000 mW

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 27 mΩ -

耗散功率 - 166 W -

阈值电压 - 1.5 V -

输入电容 - 3220 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

额定功率(Max) - 166 W -

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 49A - -

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 9.4 mm -

高度 - 4.5 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -