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BSS82C、SMBT2907AE6327、BSR16对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS82C SMBT2907AE6327 BSR16

描述 PNP硅开关晶体管 PNP Silicon Switching TransistorsPNP 晶体管,InfineonSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Yageo (国巨)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.9 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

频率 - 200 MHz -

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -600 mA -

极性 - PNP -

耗散功率 - 330 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -

集电极最大允许电流 - 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 -

额定功率(Max) - 330 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 330 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -