IXTA08N120P、IXTP08N120P对比区别

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型号 IXTA08N120P IXTP08N120P

描述 MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263TO-220 N-CH 1200V 0.8A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-220-3

引脚数 3 -

极性 - N-CH

耗散功率 50W (Tc) 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V

连续漏极电流(Ids) - 0.8A

输入电容(Ciss) 333pF @25V(Vds) 333pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc)

上升时间 26 ns -

下降时间 24 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free