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TZMB6V2-GS08、BZV55-B6V2,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TZMB6V2-GS08 BZV55-B6V2,115

描述 齐纳二极管 500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorNXP  BZV55-B6V2,115  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 400 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 SOD-80 SOD-80

容差 - ±2 %

针脚数 2 2

正向电压 1.5 V 900mV @10mA

耗散功率 500 mW 400 mW

测试电流 5 mA 5 mA

稳压值 6.2 V 6.2 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW

电容 70 pF -

稳压电流 100 nA -

长度 3.7 mm 3.7 mm

宽度 1.6 mm 1.6 mm

高度 1.6 mm 1.6 mm

封装 SOD-80 SOD-80

工作温度 - -65℃ ~ 200℃

温度系数 - 2.3 mV/K

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17