CY7C1643KV18-450BZC、CY7C1643KV18-450BZI对比区别

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型号 CY7C1643KV18-450BZC CY7C1643KV18-450BZI

描述 144 - Mbit的QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.0周期读延迟） 144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)144 - Mbit的QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.0周期读延迟） 144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

时钟频率 450 MHz 450 MHz

位数 - 18

存取时间 0.45 ns 0.45 ns

存取时间(Max) - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V

电源电压(Min) - 1.7 V

高度 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.a